2、并联电阻值对弱光性能的影响

仍以XXX-240P为例，当Rs（module）固定为0.35Ω不变，Rsh（Gref）分别取为200Ω，400Ω，600Ω和1000Ω，Rsh(0)是Rsh(Gref)的4倍，Rsh（exp）=5.5，使用PVsyst软件可得到不同辐照度下的峰值功率和NOCT条件下功率Pmax，结果参考表3。

表3 XXX240P组件在不同Rsh（Gref）值和不同辐照度下Pmax比较（Rs（module）=0.35Ω）

图4为组件转化效率及其相对STC 时效率，从模拟结果可知提高并联电阻后，弱光性能有一定的改善，但是提升幅度非常小。

图4 不同Rsh(Gref)值对应的相对STC弱光效率对比（@Rs（module）=0.35Ω）

表4为不同Rsh（Gref）值的组件系统在南京地区的弱光损失对比，当Rsh（Gref）较低时，100Ω-200Ω以下对弱光损失的影响在1%-2%之间，当大于200Ω，Rsh（Gref）值越大，弱光损失的比例越小，综合以上数据不难发现，在PVsyst模型中，我们得到一个重要结论：串联电阻值对弱光的影响程度要大于并联电阻值。

表4XXX-240P组件系统取不同Rsh（Gref）值的全年弱光损失比较（Rs（module）=0.35Ω，Pm=96kW）

除了Rsh（Gref）值外，我们再分析Rsh (0)的影响，假设Rsh（Gref）=250，Rsh（exp）=5.5，Rs（module）=0.35Ω，Rsh (0)是Rsh(Gref)的N倍，当N取不同的值时，得到弱光损失结果如表5所示，当N取值越高，弱光损失越小。

表5 不同Rsh (0)下的弱光损失（Pm=96kW）

同样的，保持其他参数不变，也可以得到Rsh（exp）变量对弱光的影响，参考表6。

表6 Rsh（exp）对弱光损失的影响（Pm=96kW）